2011年 應(yīng)用技術(shù)
成熟應(yīng)用階段 本項(xiàng)目主要內(nèi)容是系統(tǒng)研究了單晶銅鍵合絲的力學(xué)性能、電學(xué)性能及鍵合絲表面質(zhì)量與冷變形和熱處理之間的關(guān)系，探討了冷變形和熱處理對(duì)單晶銅合絲性能的影響規(guī)律。研究結(jié)果對(duì)于提高單晶銅鍵合絲性能，適應(yīng)現(xiàn)代高密度電子封裝的要求具有現(xiàn)實(shí)參考數(shù)據(jù)。
主要技術(shù)指標(biāo)： 單晶粒：相對(duì)目前的銅材（多晶粒），含有1-3晶粒，內(nèi)部無晶界，決定其傳輸性能非常好； 高純度... 
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