AlGaN基藍寶石襯底的紫外LED器件的制作方法
成果概況
| 成果類別: | 應用技術(shù) | 體現(xiàn)形式: | 新技術(shù) | 課題來源: | 自選課題 |
| 起止時間: | 2007.01 至2008.01 | 研究形式: | 獨立研究 | 所處階段: | 初期階段 |
| 成果屬性: | 原始性創(chuàng)新 |
成果簡介
本發(fā)明公開了一種AlGaN基藍寶石襯底的紫外LED器件及制作方法,它涉及到微電子技術(shù)領(lǐng)域,主要解決出射光效率低的問題。該器件自下而上依次包括低溫AlN成核層、高溫AlN成核層、本征AlGaN外延層、n-AlGaN勢壘層、有源區(qū)、p-AlGaN勢壘層、低Al組分p型AlGaN層、p型GaN冒層,以及在p型GaN冒層設(shè)有的窗口區(qū)。該器件通過干法刻蝕p-GaN冒層至低Al組分的p-AlGaN,形成了圓柱狀的出射光窗口,其后對其進行光輔助濕法刻蝕,將柱狀出射光窗口變?yōu)轭惏肭驙畲翱?,在增大了窗口的出射孔徑的同時,又能使窗口區(qū)的材料表面得到了粗化,極大的提高了出射光的功率和效率。本發(fā)明工藝簡單,重復性好,可靠性高,可用于水處理,醫(yī)療、生物醫(yī)學場合以及白光照明中
應用前景
| 主要應用行業(yè): | 制造業(yè) | 知識產(chǎn)權(quán)形式: | 專利 |
| 應用狀態(tài): | 產(chǎn)業(yè)化應用 | 擬轉(zhuǎn)化方式: |
單位概況
| 完成單位: | 西安電子科技大學 | ||||
| 單位地址: | 陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路2號 | ||||
| 單位電話: | 029-88202212;88202856 |
聯(lián)系方式
| 聯(lián)系人: | 馬曉華 | 聯(lián)系人電話: | 029-88202301 | 聯(lián)系人Email: |
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