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“基于碳化硅MOSFET的新能源汽車高效電機控制器技術”通過科技成果鑒定

信息來源:中國電子節(jié)能技術協(xié)會      發(fā)布時間:2025-5-12

2025年月5月8日,中國電子節(jié)能技術協(xié)會聯(lián)合工業(yè)和信息化部國際經(jīng)濟技術合作中心工信部萬壽路機關組織召開了由漢斯半導體(江蘇)有限公司研發(fā)的“基于碳化硅MOSFET的新能源汽車高效電機控制器技術科技成果評價會。評價專家委員會由工業(yè)和信息化部節(jié)能與綜合利用司原司長黃利斌、科技部火炬中心原黨委書記張序國、北京大學集成電路學院、教育部長江學者教授黃芊芊、工信部賽迪研究院正高級工程師、副處長崔志廣、北京理工大學正高級工程師李建武、小米汽車總監(jiān)孟順、中國電子節(jié)能技術協(xié)會執(zhí)行秘書長龔文組成。評價委員會聽取了項目完成單位的技術總結報告,審查了相關資料,經(jīng)質詢和討論形成意見如下:

1. 提供的資料基本齊全,符合評價要求。

2. 該項目的關鍵技術及主要創(chuàng)新點:

(1) 掌握了高性能碳化硅MOSFET的關鍵技術,自主研發(fā)出系列化、不同封裝形式的碳化硅功率模塊產(chǎn)品,可適應不同應用需求。

(2) 針對碳化硅器件高速開關應用中的技術難點,創(chuàng)新性開發(fā)利用低寄生電感、集成開爾文源極引腳、優(yōu)化熱管理等先進功率模塊封裝技術,有效提升了碳化硅器件性能、效率與應用可靠性。

(3) 其自主研發(fā)的碳化硅功率模塊集成到新能源汽車電機控制器中,通過系統(tǒng)性實測對比驗證,碳化硅MOSFET方案在系統(tǒng)效率、功率密度等方面較明顯優(yōu)于傳統(tǒng)硅基IGBT方案,有良好的應用場景。

3.基于功率器件的相關技術獲得國家發(fā)明專利,具有自主知識產(chǎn)權。

4.評價委員會認為,該項目技術達到國內先進水平,一致同意通過科技成果評價。    


 
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