2004年 基礎(chǔ)理論
CsI（T1）晶體光產(chǎn)額高，沒有解理面，熔點(diǎn)低，易于生長，同時(shí)具有良好的光學(xué)性能、機(jī)械性能及物化穩(wěn)定性且光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點(diǎn)，是綜合性能優(yōu)良的閃爍體，使其在很多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用：石油勘探、巖石元素分析、工業(yè)CT相機(jī)、醫(yī)學(xué)、正電子照相技術(shù)。本項(xiàng)目采用Bridgman法全封閉生長CsI（T1）晶體，這種方法實(shí)驗(yàn)設(shè)備簡單，有利于控制組分發(fā)揮。T1+含量約在800ppm時(shí)，晶體光輸出達(dá)到最高值...
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